研究費助成関係
最終更新日：2021年03月12日(金) 10時21分
国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO)
令和3年度省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業
本事業の目的は、製品の性能向上による飛躍的な省エネルギー化及び低炭素社会の実現に加えて、我が国が強みを持ち、省エネルギー化の鍵となる製品について、安定的な供給を可能とするサプライチェーンを確保し、省エネエレクトロニクス製品の製造基盤を強化することです。
分野
理工学
対象
常勤
金額
2億以上
提出期限
2021年04月09日
正午（Webおよびe-Rad）
学内締切
2021年03月26日
※提案書を担当までご提出ください。準備中の場合はご相談ください。
注意事項
注１：学内における申請期限厳守でお願い致します。準備中の場合はご相談ください。
注２：他機関等との連携が必要な場合は、準備資料の確認等がございますので、
事前に担当までご連絡下さい。
注３：本メール掲載情報は、公募要領等から抜粋・編集しております。
詳細は、配分機関HP及び公募要領にて必ずご確認下さい。
内容
１．対象分野・研究テーマ等
（１）新世代パワー半導体の開発
（１）－１ 酸化ガリウムパワー半導体の開発
（１）－２ ２大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発
（２）半導体製造装置の高度化に向けた開発
２．概要
期間：（１）－１ 3年間
（１）－２ 5年間
（２）原則3年以内
金額：開発テーマ1件あたりの限度額 5億円以内／年
（１）新世代パワー半導体の開発
（１）－１ 酸化ガリウムパワー半導体の開発
（１）－２ ２大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発
（２）半導体製造装置の高度化に向けた開発
２．概要
期間：（１）－１ 3年間
（１）－２ 5年間
（２）原則3年以内
金額：開発テーマ1件あたりの限度額 5億円以内／年
関連リンク
提出・お問い合わせは、下記情報発信元までお願い致します。
情報発信元
産学官連携本部研究企画・管理部
内線番号：2057、2842、2847
