研究費助成関係
最終更新日：2021年03月02日(火) 10時38分
文部科学省
令和3年度革新的パワーエレクトロニクス創出基盤技術研究開発事業
本事業では、学理究明も含めた基礎基盤研究の推進により、GaN 等の次世代半導体の優れた材料特性を実現できるパワーデバイスやその特性を最大限活かすことのできるパワエレ回路システム、その回路動作に対応できる受動素子等を創出し、超省エネ・高性能なパワエレ技術の創出を実現することを目的としています。これにより、世界に先駆けた超省エネ・高性能なパワエレ機器の早期創出に貢献し、2050 年カーボンニュートラルの実現と世界市場獲得を目指します。
分野
理工学
対象
常勤
金額
5千万～2億未満 , 2億以上
提出期限
2021年03月30日
17時（e-Rad、要e-Rad機関承認)
学内締切
2021年03月16日
※提案書を担当までご提出ください。準備中の場合はご相談ください。
注意事項
注１：学内における申請期限厳守でお願い致します。準備中の場合はご相談ください。
注２：他機関等との連携が必要な場合は、準備資料の確認等がございますので、
事前に担当までご連絡下さい。
注３：本メール掲載情報は、公募要領等から抜粋・編集しております。
詳細は、配分機関HP及び公募要領にて必ずご確認下さい。
内容
（１）パワエレ回路システム領域
（２）受動素子領域
（３）次々世代・周辺技術領域
（４）研究支援
２．概要
期間：令和3年度～令和7年度
金額：令和3年度予算規模
（１）3億3,000万円程度／年
（２）2億8,000万円程度／年
（３）2億5,000万円程度／年
（４）5,000万円程度／年
採択：（１）（２）各1～2件程度
（３）4～5件程度
（４）1件
関連リンク
提出・お問い合わせは、下記情報発信元までお願い致します。
情報発信元
産学官連携本部研究企画・管理部
内線番号：2057、2842、2847
